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Dataram DTM68101B Ficha de datos Pagina 1

Busca en linea o descarga Ficha de datos para Los módulos de memoria Dataram DTM68101B. Dataram DTM68101B memory module Manual de usuario

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DTM68101B
8GB - 288-Pin 1Rx4 Registered ECC DDR4 DIMM
Document 06342, Revision A, 13-Jun-14, Dataram Corporation © 2014 Page 1
Features Identification
288-pin JEDEC-compliant DIMM, 133.35 mm wide by 31.25 mm
high
DTM68101B 1Gx72
8G 1Rx4 PC4-2133P-RC0-10
Performance range
Clock / Module Speed / CL-t
RCD
-t
RP
1067 MHz / PC4-2133 / 16-16-16
1067MHz / PC4-2133 / 15-15-15
933 Hz / PC4-1866 / 14-14-14
933 Hz / PC4-1866 / 13-13-13
800 Hz / PC4-1600 / 12-12-12
800 Hz / PC4-1600 / 11-11-11
667 MHz / PC4-1600 / 10-10-10
667 MHz / PC4-1600 / 9-9-9
Description
DTM68101B is a registered 1Gx72 memory
module, which conforms to JEDEC's
DDR4-2133, PC4-2133 standard. The
assembly is Single-Rank. The rank is
comprised of eighteen Hynix 1Gbx4 DDR4-
2133 SDRAMs. One 2K-bit EEPROM is
used for Serial Presence Detect and a
combination register/PLL, with Address and
Command Parity, is also used.
Both output driver strength and input
termination impedance are programmable
to maintain signal integrity on the I/O
signals in a Fly-by topology. A thermal
sensor accurately monitors the DIMM
module and can prevent exceeding the
maximum operating temperature of 95C.
Operating Voltage: VDD/VDDQ = 1.2V (1.14V to 1.26V)
VPP = 2.5V (2.375V to 2.75V)
VDDSPD = 2.25V to 2.75V
I/O Type: 1.2 V signaling
On-board I
2
C temperature sensor with integrated Serial
Presence-Detect (SPD) EEPROM
Data Transfer Rate: 17.0 Gigabytes/sec
Data Bursts: 8 and burst chop 4 mode
ZQ Calibration for Output Driver and On-Die Termination (ODT)
Programmable ODT / Dynamic ODT during Writes
Programmable CAS Latency: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15 and 16
Bi-directional Differential Data Strobe signals
Per DRAM Addressability is supported
Write CRC is supported at all speed grades
DBI (Data Bus Inversion) is supported(x8 only)
CA parity (Command/Address Parity) mode is supported
Supports ECC error correction and detection
16 internal banks
SDRAM Addressing (Row/Col/BG/BA): 16/10/2/2
Fully RoHS Compliant
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Indice de contenidos

Pagina 1 - DTM68101B

DTM68101B 8GB - 288-Pin 1Rx4 Registered ECC DDR4 DIMM Document 06342, Revision A, 13-Jun-14, Dataram Corporation © 2014 Page 1 Features

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DTM68101B 8GB - 288-Pin 1Rx4 Registered ECC DDR4 DIMM Document 06342, Revision A, 13-Jun-14, Dataram Corporation © 2014 Page 2 Speed

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DTM68101B 8GB - 288-Pin 1Rx4 Registered ECC DDR4 DIMM Document 06342, Revision A, 13-Jun-14, Dataram Corporation © 2014 Page 3 Speed Bin Table No

Pagina 4

DTM68101B 8GB - 288-Pin 1Rx4 Registered ECC DDR4 DIMM Document 06342, Revision A, 13-Jun-14, Dataram Corporation © 2014 Page 4 PinConfiguration

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